当前在技术层面，SiC衬底位错密度下降，SiC功率晶体设计不断迭代，产品性能，可靠性持续提升；主流晶圆尺寸由4英寸向6英寸过渡，领先厂商已经在大力扩产8英寸，主流产品从SiC二极管转变为SiCMOSFET。成本层面，SiC电力电子器件价格进一步下降，根据CASA，Mouser，从公开报价来看，1200VSiCSBD与同类Si器件的差距约4.5倍。若考虑系统成本（周边的散热、基板等）和能耗等因素，SiC产品已经具备一定竞争力，随着产业链技术更加成熟和产能不断扩充，未来在下游新能源汽车、光伏逆变、消费类电子等市场应用有望加速渗透。...
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